Modiwl IGCT Bwrdd Gwrthdroydd ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162
Disgrifiad
| Gweithgynhyrchu | ABB |
| Model | 5SHY4045L0001 |
| Gwybodaeth archebu | 3BHB018162 |
| Catalog | Rhannau Sbâr VFD |
| Disgrifiad | Modiwl IGCT Bwrdd Gwrthdroydd ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 |
| Tarddiad | Yr Unol Daleithiau (UDA) |
| Cod HS | 85389091 |
| Dimensiwn | 16cm * 16cm * 12cm |
| Pwysau | 0.8kg |
Manylion
Mae 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 yn gynnyrch thyristor cymudo-giât integredig (IGCT) ABB, sy'n perthyn i'r gyfres 5SHY.
Mae IGCT yn fath newydd o ddyfais electronig a ymddangosodd ddiwedd y 1990au.
Mae'n cyfuno manteision IGBT (transistor deubegwn giât wedi'i inswleiddio) a GTO (thyristor diffodd giât), ac mae ganddo nodweddion cyflymder newid cyflym, capasiti mawr, a phŵer gyrru mawr sydd ei angen.
Yn benodol, mae capasiti 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 yn cyfateb i gapasiti GTO, ond mae ei gyflymder newid 10 gwaith yn gyflymach na chyflymder GTO, sy'n golygu y gall gwblhau'r weithred newid mewn amser byrrach a thrwy hynny wella effeithlonrwydd trosi pŵer.
Yn ogystal, o'i gymharu â GTO, gall IGCT arbed y gylched snubber enfawr a chymhleth, sy'n helpu i symleiddio dyluniad y system a lleihau costau.
Fodd bynnag, dylid nodi, er bod gan IGCT lawer o fanteision, fod y pŵer gyrru sydd ei angen yn dal yn fawr.
Gall hyn gynyddu'r defnydd o ynni a chymhlethdod y system. Yn ogystal, er bod IGCT yn ceisio disodli GTO mewn cymwysiadau pŵer uchel, mae'n dal i wynebu cystadleuaeth ffyrnig gan ddyfeisiau newydd eraill (megis IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistorau cymudo giât integredig|Mae GCT (transistorau cymudo giât integredig) yn ddyfais lled-ddargludyddion pŵer newydd a ddefnyddir mewn offer electronig pŵer enfawr a ddaeth allan ym 1996.
Mae IGCT yn ddyfais switsh lled-ddargludyddion pŵer uchel newydd yn seiliedig ar strwythur GTO, gan ddefnyddio strwythur giât integredig ar gyfer gyriant caled giât, gan ddefnyddio strwythur haen ganol byffer a thechnoleg allyrrydd tryloyw anod, gyda nodweddion cyflwr ymlaen y thyristor a nodweddion newid y transistor.
Mae 5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 yn defnyddio strwythur byffer a thechnoleg allyrrydd bas, sy'n lleihau colled ddeinamig tua 50%.
Yn ogystal, mae'r math hwn o offer hefyd yn integreiddio deuod rhyddid â nodweddion deinamig da ar sglodion, ac yna'n sylweddoli'r cyfuniad organig o'r gostyngiad foltedd cyflwr-ymlaen isel, foltedd blocio uchel a nodweddion newid sefydlog y thyristor mewn ffordd unigryw.
